类别是'category.MOSFETs 晶体管阵列' (10000)

  • 所有品牌

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

包装/外壳

表面安装

材料

终端数量

晶体管元件材料

Maximum Drain Source Resistance (MOhm)

包装

系列

JESD-609代码

零件状态

ECCN 代码

类型

端子表面处理

附加功能

子类别

技术

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

Reach合规守则

引脚数量

参考标准

JESD-30代码

资历状况

极性

配置

通道数量

操作模式

功率耗散

箱体转运

晶体管应用

极性/通道类型

JEDEC-95代码

最大漏极电流 (Abs) (ID)

漏极-源极导通最大电阻

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

DS 击穿电压-最小值

信道型

雪崩能量等级(Eas)

场效应管技术

最大耗散功率(Abs)

GRP-DATA-IRHLNMC77110SCS
GRP-DATA-IRHLNMC77110SCS
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Si

[email protected]

EAR99

无

无

功率MOSFET

Enhancement

1

100

±10

-55 to 150

6.5

11(Max)@4.5V

572@25V

23200

12(Max)

75(Max)

50(Max)

18(Max)

-55

150

表面贴装

2.69(Max)

5.74(Max)

8.15(Max)

3

CSMD-0.2

3

Single

N

IXTH11P50
IXTH11P50
Littelfuse 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Si

150

20

44

5.3

500

3

通孔

21.46(Max)

5.3(Max)

16.26(Max)

3

Tab

TO-247

TO-247AD

通孔

符合免除

EAR99

8541.10.00.80

有

有

无

无

功率MOSFET

Enhancement

1

500

±20

5

-55 to 150

11

100

200

750@10V

130@10V

130

55

30

4700@25V

187@25V

3

500

300000

35

27

35

33

-55

活跃

3

Single

P

IXFN102N30P
IXFN102N30P
Littelfuse 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

33@10V

-55

150

Screw

9.6(Max)

25.42(Max)

38.23(Max)

4

SOT

SOT-227B

Screw

符合免除

EAR99

无

无

功率MOSFET

Enhancement

1

300

±20

86

224@10V

224

7500@25V

570000

30

28

130

30

活跃

4

单双源

N

GRP-DATA-JANSF2N7550U2
GRP-DATA-JANSF2N7550U2
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

49@12V

17.65(Max)

13.46(Max)

3

SMD-2

供应商未确认

EAR99

无

无

功率MOSFET

Enhancement

1

100

±20

47

170(Max)@12V

6240@25V

250000

100(Max)

100(Max)

100(Max)

30(Max)

-55

150

Military

表面贴装

3.07(Max)

活跃

3

Single

P

MDF10N60BTH
MDF10N60BTH
MagnaChip 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

700@10V

600

±30

4

10

100

1

28.1@10V

28.1

1409@25V

48000

39

35

116

23

-55

150

通孔

16.13(Max)

4.93(Max)

10.71(Max)

3

Tab

TO-220

TO-220F

通孔

Compliant

EAR99

8541.29.00.95

Unknown

Unknown

功率MOSFET

Enhancement

1

Tube

活跃

3

Single

N

GRP-DATA-JANSH2N7481U3
GRP-DATA-JANSH2N7481U3
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

60@12V

150

Military

表面贴装

2.61(Max)

10.28(Max)

7.64(Max)

3

SMD

SMD-0.5

No Lead

不合规

3A001.a.1.a

无

无

功率MOSFET

Enhancement

1

100

±20

22

50(Max)@12V

1005@25V

75000

30(Max)

100(Max)

35(Max)

25(Max)

-55

Obsolete

3

Single

N

GRP-DATA-JANSR2N7473U2
GRP-DATA-JANSR2N7473U2
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

38@12V

表面贴装

3.07(Max)

17.65(Max)

13.46(Max)

3

SMD

SMD-2

不合规

EAR99

无

无

功率MOSFET

Enhancement

1

200

±20

53.5

155(Max)@12V

6044@25V

250000

50(Max)

125(Max)

80(Max)

35(Max)

-55

150

Military

活跃

3

Single

N

IXFX120N65X2
IXFX120N65X2
Littelfuse 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

TO-247-3

24@10V

120A

650 V

2.7 V

1.25 kW

N-Channel

+ 150 C

- 30 V, + 30 V

- 55 C

通孔

225 nC

24 mOhms

120 A

符合免除

8541.29.00.95

有

有

无

无

功率MOSFET

Enhancement

1

650

±30

5

120

100

50

240@10V

240

14000@25V

1250000

12

26

82

39

-55

150

通孔

21.34(Max)

5.21(Max)

16.13(Max)

3

Tab

PLUS 247

-

-

650V Ultra Junction X2

活跃

Si

3

Single

1 Channel

1.25kW

N

JANS DATA-JANSF2N7471T1
JANS DATA-JANSF2N7471T1
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

14@12V

35(Max)

-55

150

Military

通孔

13.84(Max)

6.6(Max)

13.84(Max)

3

Tab

TO-254-AA

TO-254AA

通孔

不合规

EAR99

无

无

功率MOSFET

Enhancement

1

100

±20

45

160(Max)@12V

6270@25V

208000

50(Max)

125(Max)

75(Max)

活跃

3

Single

N

GRP-DATA-JANSF2N7422U
GRP-DATA-JANSF2N7422U
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

85@12V

表面贴装

3.07(Max)

11.55(Max)

16(Max)

3

SMD

SMD-1

不合规

EAR99

无

无

功率MOSFET

Enhancement

1

100

±20

22

200(Max)@12V

4300@25V

150000

190(Max)

170(Max)

190(Max)

40(Max)

-55

150

Military

活跃

3

Single

P

GRP-DATA-JANSR2N7468U2
GRP-DATA-JANSR2N7468U2
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

5.6@12V

表面贴装

3.07(Max)

17.65(Max)

13.46(Max)

3

SMD

SMD-2

不合规

EAR99

无

无

功率MOSFET

Enhancement

1

60

±20

75

165(Max)@12V

6080@25V

250000

50(Max)

125(Max)

60(Max)

35(Max)

-55

150

Military

活跃

3

Single

N

GRP-DATA-JANSR2N7425
GRP-DATA-JANSR2N7425
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

75@12V

100

±20

5

35

100

25

290(Max)@12V

6000@25V

250000

190(Max)

170(Max)

190(Max)

35(Max)

-55

150

Military

通孔

13.84(Max)

6.6(Max)

13.84(Max)

3

Tab

TO-254-AA

TO-254AA

通孔

不合规

EAR99

无

无

功率MOSFET

HEXFET

Enhancement

1

活跃

3

Single

P

GRP-DATA-JANSG2N7269
GRP-DATA-JANSG2N7269
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

110@12V

140(Max)

140(Max)

140(Max)

33(Max)

-55

150

Military

通孔

13.84(Max)

6.6(Max)

13.84(Max)

3

Tab

TO-254-AA

TO-254AA

通孔

不合规

3A001.a.1.a

无

无

功率MOSFET

HEXFET

Enhancement

1

200

±20

26

170(Max)@12V

4700@25V

150000

活跃

3

Single

N

IRHLUB7970Z4
IRHLUB7970Z4
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

3

SILICON

[email protected]

活跃

INFINEON TECHNOLOGIES AG

5.18

0.53 A

不合规

出口接触方式

8541.21.00.95

无

无

功率MOSFET

CMOS

Enhancement

1

60

±10

0.53

3.6(Max)@4.5V

167@25V

570

27(Max)

22(Max)

27(Max)

22(Max)

-55

150

表面贴装

1.42(Max)

2.74(Max)

3.25(Max)

4

SMD

UB

No Lead

UB-4

小概要

UNSPECIFIED

未说明

150 °C

无

IRHLUB7970Z4

RECTANGULAR

Infineon Technologies AG

1

e0

活跃

EAR99

Tin/Lead (Sn/Pb)

其他晶体管

DUAL

无铅

未说明

unknown

4

RH - 100K Rad(Si)

R-XDSO-N3

不合格

Single

增强型MOSFET

SWITCHING

P-CHANNEL

0.53 A

1.4 Ω

60 V

P

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

0.6 W

SI9934DY
SI9934DY
ON Semiconductor 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

[email protected]

1.65(Max)

3.9

4.9

8

SOP

SOIC N

Gull-wing

Compliant

EAR99

无

无

功率MOSFET

Enhancement

2

20

±12

5

[email protected]

1015@10V

2000

34

18

34

11

-55

175

表面贴装

卷带

Obsolete

8

双排双泄

P

IRFR110ATF
IRFR110ATF
ON Semiconductor 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

400@10V

-55

150

表面贴装

2.3

6.1

6.6

2

Tab

TO-252

DPAK

Compliant

EAR99

无

无

功率MOSFET

Enhancement

1

100

±20

4.7

8.5@10V

8.5

190@25V

2500

18

14

28

10

卷带

Obsolete

3

Single

N

JANSF2N7389U
JANSF2N7389U
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

350@12V

70(Max)

30(Max)

-55

150

Military

表面贴装

3.22(Max)

7.49(Max)

9.14(Max)

18

LLCC

LLCC

No Lead

不合规

出口接触方式

8541.29.00.95

无

无

功率MOSFET

Enhancement

1

100

±20

6.5

45(Max)@12V

1200@25V

25000

70(Max)

50(Max)

活跃

18

单六进制漏八进制源双门

P

DATA-ATE-JANSR2N7486U3
DATA-ATE-JANSR2N7486U3
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

220@12V

150

Military

表面贴装

2.61(Max)

10.28(Max)

7.64(Max)

3

SMD

SMD-0.5

No Lead

不合规

EAR99

无

无

功率MOSFET

Enhancement

1

200

±20

12

28(Max)@12V

1000@25V

75000

30(Max)

100(Max)

35(Max)

25(Max)

-55

活跃

3

Single

N

IRHLNM83Y20SCS
IRHLNM83Y20SCS
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

CSMD-0.2

3

5.74(Max)

8.15(Max)

2.69(Max)

表面贴装

360000

17

20

无

无

供应商未确认

活跃

3

N

DATA-ATE-JANS2N7616UBR
DATA-ATE-JANS2N7616UBR
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

[email protected]

表面贴装

1.42(Max)

2.74(Max)

3.25(Max)

4

Module

UB型壳体

不合规

EAR99

无

无

功率MOSFET

CMOS

Enhancement

1

60

±10

0.8

3.6(Max)@4.5V

166@25V

600

13(Max)

24(Max)

30(Max)

8(Max)

-55

125

活跃

4

Single

N

AOB14N50L
AOB14N50L
Alpha and Omega Semiconductor, Inc. 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

380@10V

Compliant

EAR99

Unknown

Unknown

功率MOSFET

Enhancement

1

500

±30

14

42.8@10V

42.8

1914@25V

278000

50

84

92

44

-55

150

表面贴装

4.45

9.14

10.03

2

Tab

TO-263

D2PAK

Gull-wing

14(A)

500(V)

Military

D2PAK

-55C to 150C

±30(V)

1

无

卷带

活跃

功率MOSFET

3

N

Single

278(W)

N

IRHNJ9A7034
IRHNJ9A7034
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Si

18@12V

供应商未确认

无

无

功率MOSFET

Enhancement

1

60

±20

-55 to 150

40

45(Max)@12V

1740@25V

75000

30(Max)

40(Max)

45(Max)

20(Max)

-55

150

表面贴装

2.61(Max)

10.28(Max)

7.64(Max)

3

SMD-0.5

活跃

3

Single

N

IRHY57034CM
IRHY57034CM
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

NO

3

SILICON

40@12V

不合规

出口接触方式

8541.29.00.95

无

无

功率MOSFET

Enhancement

1

60

±20

18

45(Max)@12V

1152@25V

75000

30(Max)

100(Max)

35(Max)

25(Max)

-55

150

通孔

10.92(Max)

5.08(Max)

10.66(Max)

3

Tab

TO-257AA

HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-3

FLANGE MOUNT

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

未说明

150 °C

无

IRHY57034CM

RECTANGULAR

Infineon Technologies AG

1

活跃

INFINEON TECHNOLOGIES AG

5.21

18 A

e0

活跃

EAR99

Tin/Lead (Sn/Pb)

ULTRA-LOW RESISTANCE

FET 通用电源

SINGLE

PIN/PEG

未说明

unknown

3

R-CSFM-P3

不合格

Single

增强型MOSFET

ISOLATED

SWITCHING

N-CHANNEL

TO-257AA

16 A

0.04 Ω

72 A

60 V

N

110 mJ

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

75 W

IRHN93150
IRHN93150
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

85@12V

表面贴装

3.07(Max)

11.55(Max)

16(Max)

3

SMD

SMD-1

不合规

出口接触方式

8541.29.00.95

无

无

功率MOSFET

Enhancement

1

100

±20

22

200(Max)@12V

4300@25V

150000

190(Max)

170(Max)

190(Max)

40(Max)

-55

150

活跃

3

Single

P

IRHNJ57230SEA
IRHNJ57230SEA
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12

200

供应商未确认

3

SMD-0.5

7.64(Max)

10.28(Max)

2.61(Max)

表面贴装

750000

活跃

3

N